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各种存储器简介

一、flash
flash是存储芯片的一种,通过特定的程序可以修改里面的数据。FLASH电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思,即平时所说的“闪存”,全名叫Flash EEPROM Memory。
Flash存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还可以快速读取数据(NVRAM的优势),使数据不会因为断电而丢失。U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码,或者直接当硬盘使用(U盘)。
目前Flash主要有两种NORFlash和NANDFlash。NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NANDFlash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NANDFlash上的代码,因此好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlash以外,还加上了一块小的NORFlash来运行启动代码。
一般小容量的用NORFlash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NANDFLASH,最常见的NANDFLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的“闪盘”,可以在线擦除。目前市面上的FLASH主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Mxic,而生产NANDFlash的主要厂家有Samsung,Toshiba和Hynix。
二、ROM
ROM与RAM的不同使用范围介绍
RAM-RandomAccessMemory易挥发性随机存取存储器,高速存取,读写时间相等,且与地址无关,如计算机内存等。
ROM-Read Only Memory只读存储器。断电后信息不丢失,如计算机启动用的BIOS芯片。存取速度很低,(较RAM而言)且不能改写。由于不能改写信息,不能升级,现已很少使用。
EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash 和 NAND Flash),性能同ROM,但可改写。一般读出比写入快,写入需要比读出更高的电压(读5V写12V)。而Flash可以在相同电压下读写,且容量大、成本低,如今在U盘、MP3中使用广泛。在计算机系统里,RAM一般用作内存,ROM用来存放一些硬件的驱动程序,也就是固件。
三、RAM
RAM(random access memory)随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。

随机存取

所谓“随机存取”,指的是当存储器中的数据被读取或写入时,所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的,读取或写入顺序访问(Sequential Access)存储设备中的信息时,其所需要的时间与位置就会有关系(如磁带)。

易失性

当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据,就必须把它们写入

静态随机存取存储器  静态随机存取存储器

一个长期的存储设备中(例如硬盘)。RAM和ROM相比,两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失,而ROM不会。

SRAM通常用在cache,DRAM用于内存。

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